消息称三星电子加速平泽 P5 晶圆厂 PH1 DRAM 产线建设，PH2 或生产 NAND

来源摘要

IT之家 9 月 28 日消息，韩媒 ZDNET Korea 当地时间今日报道称，三星电子正加速推进平泽 P5 晶圆厂 PH1 阶段 DRAM 内存生产线的建设。报道指出，三星电子已在本季度启动 P5 PH1 的洁净室建设，早于此前预期。按此进度推算，半导体制造设备进场时间应该落在 2027 年 7~8 月。而消息人士最近表示，三星电子现要求在明年 5~6 月就进行设备导入，甚至希望在 2027Q1 就获取设备并暂…

摘要由机器生成（来自来源站点），可能存在偏差； 本站不转载全文，请以原文为准。