长鑫科技：拟 241 亿元和 108 亿元分别投建技术研发项目、存储器晶圆后道测试基地二期项目

来源摘要

IT之家 9 月 28 日消息，长鑫科技 9 月 28 日晚间发布关于使用部分超募资金投资建设新项目的公告。长鑫科技拟使用超募资金 130 亿元投资新建技术研发项目，同时拟通过增资和借款方式向全资子公司长鑫存储产品 (合肥) 有限公司提供超募资金 50 亿元，由其投资新建存储器晶圆后道测试基地二期项目。IT之家附项目基本情况如下：技术研发项目：主要用于技术研发，项目总投资金额 241 亿元，建设周期 30 个月。长鑫存储产品（合肥）有限公司存储器晶圆后道测试基地二期项目：计划建设一座测试工厂，为 DRAM 存储芯片提供测试以及模组组装，项…

摘要由机器生成（来自来源站点），可能存在偏差； 本站不转载全文，请以原文为准。