ASML & 蔡司：未来 Hyper NA EUV 光刻机主要挑战为更低的可用景深

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IT之家 10 月 9 日消息，ASML（阿斯麦）与其光学系统合作伙伴 ZEISS（蔡司）在一份 10 月 1 日发布的文章中表示，数值孔径≥0.75 的 Hyper NA EUV 光刻机有望支持 5nm“半间距”的光学分辨率，并在 10 年左右面世。▲ 现有 High NA EUV 光刻机文章分析称，延续 13.5nm 波长并提升数值孔径至 0.75 是 High NA EUV…

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