三星高管预计明年 HBM 占 DRAM 行业总产能近 30%，高于目前的 20%

来源摘要

IT之家 9 月 29 日消息，据路透社报道，三星电子一位高管表示，高带宽内存（HBM）预计明年将占到各家 DRAM 芯片厂商全部晶圆产能的近 30%，高于目前约 20% 的水平。三星电子（SSNLF）执行副总裁金泰宇（Kim Taewoo）称，HBM 与普通 DRAM 争夺晶圆产能。这就意味着扩大 HBM 的产出规模，有可能会挤压标准 DRAM 的供给。

摘要由机器生成（来自来源站点），可能存在偏差； 本站不转载全文，请以原文为准。