全球内存短缺：报告称 1b DRAM 晶圆每平方毫米成本较台积电 N2 溢价 54%

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IT之家 9 月 25 日消息，韩国半导体分析机构 Kernel Insight 最新数据显示，1b DRAM 晶圆每平方毫米成本达 0.654 美元（现汇率约合 4.4 元人民币），较台积电 N2 晶圆的 0.424 美元（现汇率约合 2.8 元人民币）高出 54%。IT之家注：1b DRAM 晶圆是指采用 1b 工艺节点（sub-10nm 级）制造的 DDR5 动态随机存取存储器。1b 代表存储单元特征尺寸进入 10 纳米以下区间，位密度约每平方毫米 0.436 Gb。

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